說明:1.本考試大綱包括基礎(chǔ)知識和實驗兩部分,考分比例分別占70%和30%。
2.本考試大綱在基本要求的敘述過程中,將學(xué)習(xí)內(nèi)容的重要程度分為熟練掌握、掌握、理解、了解等四個層次。
3.考試的題型有:單項選擇題填空題、判斷題、識圖題(含波形分析),以及難度適當(dāng)?shù)脑O(shè)計題。
第一部分 基礎(chǔ)知識
第一章 數(shù)學(xué)邏輯基礎(chǔ)
基本要求:熟練掌握不同數(shù)值的計數(shù)方法,熟練掌握二進(jìn)制數(shù)與十進(jìn)制的轉(zhuǎn)換,理解二進(jìn)制數(shù)與二進(jìn)制碼之間的關(guān)系,熟練掌握邏輯函數(shù)的基本運算,掌握邏輯代數(shù)運算的基本規(guī)則,熟練掌握邏輯函數(shù)的卡諾圖化簡法。
考試內(nèi)容:二進(jìn)制數(shù)與十進(jìn)制數(shù)的轉(zhuǎn)換,用卡諾圖化簡邏輯函數(shù)。
第二章 邏輯門電路
基本要求:了解晶體二極管和晶體三極管的開關(guān)特性,了解基本門電路的典型電路,掌握基本門電路的電路符號,熟練掌握基本門電路輸入變量和輸出變量的邏輯關(guān)系,了解TTL邏輯門電路、MOS邏輯門電路的特點,了解正、負(fù)邏輯之間的關(guān)系,掌握邏輯門電路使用中的幾個實際問題。
考試內(nèi)容:基本門電路輸入變量和輸出變量的邏輯關(guān)系,TTL與CMOS邏輯門電路之間的接口技術(shù)、TTL和CMOS電路外接負(fù)載時注意的問題,多余輸入端常用的處理措施。
第三章 組合邏輯電路
基本要求:熟練掌握組合邏輯電路的分析、設(shè)計方法,能夠分析編碼器和譯碼器典型電路,了解七段數(shù)學(xué)顯示譯碼器的工作原理,了解數(shù)據(jù)選擇器的工作原理,熟練掌握基本算術(shù)運算電路及其典型應(yīng)用。
考試內(nèi)容:根據(jù)給定的任務(wù),設(shè)計出符合功能要求的組合邏輯電路;根據(jù)給定的組合邏輯電路,判斷其功能。
第四章 時序邏輯電路
基本要求:熟練掌握各觸發(fā)器的電路符號、真值表、特性方程,了解TTL集成觸發(fā)器、CMOS觸發(fā)器的特點,能夠分析移位寄存器、計數(shù)器的工作過程,了解時序邏輯電路分析和設(shè)計的一般過程。
考試內(nèi)容:RS觸發(fā)器、JK觸發(fā)器和D觸發(fā)器之間的轉(zhuǎn)換,移位寄存器(以四位為限)的工作過程,二進(jìn)制和非二進(jìn)制計數(shù)器工作狀態(tài)的分析。
第五章 半導(dǎo)體存儲器
基本要求:掌握RAM、ROM兩大類別半導(dǎo)體存儲器的主要特點,理解SRAM、DRAM的工作特點,了解CCD的工作原理。
考試內(nèi)容:RAM存儲容量的計算以及存儲容量的擴(kuò)展,DRAM的讀寫及刷新操作過程。
第六章 脈沖信呈的產(chǎn)生與整形
基本要求:了解脈沖信號整形的意義,理解脈沖波形主要指標(biāo)的物理意義,掌握多諧振器典型電路的工作過程。
考試內(nèi)容:施密特觸發(fā)器的實質(zhì)及工作原理,由555電路構(gòu)成的定時電路。
第七章 A/D與D/A轉(zhuǎn)換器
基本要求:深刻理解采樣定理的涵義,掌握采樣--保持過程的基本概念,理解不同A/D轉(zhuǎn)換方式的特點,掌握R-2R梯形網(wǎng)絡(luò)的工作原理,理解A/D,D/A變換的應(yīng)用。
考試內(nèi)容:采樣—保持過程的工作原理,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器的基本工作原理。
第二部分 實驗
要求:通過實驗,考核學(xué)員使作常規(guī)電子儀器的能力,考核學(xué)員對各實驗的理解情況,在實際操作過程中,考察學(xué)員對基本概念的掌握程度,并據(jù)此給予正確的評分。
實驗一 雙蹤示波器及其使用
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握雙蹤示波器的基本工作原理。
2.掌握雙蹤示波器測量骯沖波形參數(shù)的方法。
3.掌握脈沖信號發(fā)生器的使用方法。
二、實驗內(nèi)容
1.測量示波器的校正信號。
2.測量脈沖信號發(fā)生器輸出的方波信號。
3.測量RC網(wǎng)絡(luò)對方波信號的響應(yīng)。
三、實驗報告要求
1.按任務(wù)要求記錄實驗結(jié)果。
2.波形圖必須在方格坐標(biāo)紙上,并標(biāo)出直流零電壓線的位置。
實驗二 晶體管開關(guān)特必限幅器與鉗位器
一、實驗?zāi)康?/p>
1.了解晶體管開關(guān)特性。
2.理解限幅器的基本工作原理。
3.了解鉗位器的工作原理。
二、實驗內(nèi)容
1.二極管反向恢復(fù)時間的觀察。
2.晶體三極管開關(guān)特性的觀察。
3.晶體二極管限幅器。
4.晶體二極管鉗位器。
三、實驗報告要求
1.實測得到的波形必須畫在方格坐標(biāo)紙上,標(biāo)出零電壓線,并對它們進(jìn)行分析討論。
2.根據(jù)對晶體三極管開關(guān)特性的觀察結(jié)果,總結(jié)外電路元件參和對晶體三極管開關(guān)特性的影響。
實驗三 TTL集成門的測試與使用
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握TFL與非門邏輯功能的測試方法。
2.掌握TTL與非門主要參數(shù)的測試方法。
二、實驗內(nèi)容
1.測量TTL集成與非門的靜態(tài)參數(shù)。
2.測量TTL成與非門的平均傳輸延遲時間。
3.在實驗板上連接電路,測量該電路的邏輯功能,根據(jù)測試結(jié)果寫出邏輯表達(dá)式。
三、實驗報告要求
1.測試各參數(shù)必須附有測試電路圖,記錄測試數(shù)據(jù),并對結(jié)果進(jìn)行分析。
2.靜態(tài)傳輸特性曲線必須畫在方格坐標(biāo)紙上,從曲線中讀出所需要的數(shù)據(jù)。
3.討論TTL集成與非門中,對不使用輸入端的各種處置方法的優(yōu)缺點。
實驗四 CMOS與非門傳輸特性的位置
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握CMOS與非門邏輯功能的測量方法。
2.掌握CMOS與非門主要參數(shù)的測試方法。
二、實驗內(nèi)容
1.測量CMOS與非門的傳輸特性。
2.連接CMOS與TTL接口電路。
三、實驗報告要求
1.測量各項參數(shù)必須附有測試電路圖,記錄測試數(shù)據(jù),并對結(jié)果進(jìn)行分析。
2.討論TTL與CMOS接口電路的組成原則。
實驗五 規(guī)模集成電路設(shè)計組合邏輯電路
一、實驗?zāi)康?/p>
1.初步掌握用小規(guī)模集成電路設(shè)計組合電路的方法。
2.觀察組合電路的冒險現(xiàn)象。
二、實驗內(nèi)容
設(shè)計任務(wù)可由任課教師選定,建議采用如下內(nèi)容:
(1)設(shè)計一個四位式碼的數(shù)字鎖;
(2)給定真值表,設(shè)計符合要求的邏輯電路;
(3)用與非門電路設(shè)計十字交叉路口的紅綠燈控制電路。
三、實驗報告要求
1.寫出任務(wù)的設(shè)計過程,畫出設(shè)計出的電路圖。
2.記錄檢測結(jié)果,并進(jìn)行分析。
3.畫出冒險現(xiàn)象的工作波形,必須標(biāo)出零電壓坐標(biāo)。
實驗六 中規(guī)模組合功能的應(yīng)用
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握數(shù)據(jù)選擇器、譯碼器和全加器的中規(guī)模集成電路的使用方法。
2.了解中規(guī)模集成電路組合功能件的應(yīng)用。
二、實驗內(nèi)容
1.采用二個4選1的數(shù)據(jù)選擇器和一只非門電路,實現(xiàn)一個8選1的數(shù)據(jù)選擇器功能。
2.設(shè)計一個4位二進(jìn)制加法/減法電路,檢測電路功能。
三、實驗報告要求
每個實驗任務(wù)必須寫出設(shè)計過程,畫出設(shè)計邏輯圖,附有實驗記錄,并對結(jié)果進(jìn)行分析。
實驗七 集成觸發(fā)器和用小規(guī)模集成電路設(shè)計同步時序電路
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握集成觸發(fā)器的使用方法和邏輯功能的測試方法。
2.初步掌握用小規(guī)模集成電路設(shè)計同步時序電路及其檢測方法。
二、實驗內(nèi)容
1.JK觸發(fā)器的功能測試。
2.D觸發(fā)器的功能測試。
3.用JK觸發(fā)器設(shè)計一個十進(jìn)制的同步加法計數(shù)器
三、實驗報告及要求
1.按任務(wù)要求記錄實驗數(shù)據(jù)。
2.寫出任務(wù)設(shè)計過程,畫出邏輯圖。
3.?dāng)?shù)據(jù)記錄力求表格化,波形羅必須畫在方格坐標(biāo)紙上。
實驗八 中規(guī)模集成電路時序功能件的應(yīng)用
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握集成計數(shù)器和雙向移位寄存器的使用方法。
2.了解中規(guī)模集成電路時序功能件的應(yīng)用。
3.了解顯示譯碼器和數(shù)碼管的使用方法。
二、實驗內(nèi)容
1.用中規(guī)律二--五--十進(jìn)制異步計數(shù)器電路(如 T4290)實驗NBCD碼計數(shù)器。
2.用典型的顯示譯碼器(如CLl01,CH284),組成顯示輸出的譯碼器,記錄不同輸入信號下,數(shù)碼變化情況。
3.了解移位寄存器(如T4194)的使用方法。
三、實驗報告要求
1.畫出實驗電路圖,對實驗記錄進(jìn)行分析。
2.工作波形必須畫在方格坐標(biāo)紙上。
3.設(shè)計性任務(wù)要寫出設(shè)計過程,并畫出邏輯圖。
實驗九 脈沖信號產(chǎn)生電路
一、實驗?zāi)康?/p>
1.掌握使用集成邏輯門、集成單穩(wěn)觸發(fā)器和555時基電路,來設(shè)計脈沖信號產(chǎn)生電路的方法
2.了解定時元件對輸出脈沖波形的影響
二、實驗內(nèi)容
1.利用與非門組成脈沖信號產(chǎn)生電路。
2.采用555時基電路組成脈沖信號產(chǎn)生電路。
三、實驗報告要求
1.寫出設(shè)計計算過程,畫出標(biāo)有元件參數(shù)的實驗電路圖,并對測試結(jié)果進(jìn)行分析。
2.在方格坐標(biāo)紙上畫出工作波形圖,圖中必須標(biāo)出零電壓位置。
實驗十 隨機(jī)存取存儲器的應(yīng)用
一、實驗?zāi)康?/p>
熟悉隨機(jī)存取存儲器的功能及其應(yīng)用。
二、實驗內(nèi)容
在工作方式開關(guān)控制下,使SRAM芯片分別執(zhí)行讀功能。
三、實驗要求
按任務(wù)要求編寫相應(yīng)地址的存儲內(nèi)容,畫出實驗電路圖,記錄電路的檢測結(jié)果,并對結(jié)果進(jìn)行分析。
實驗十一 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用
一、實驗?zāi)康?/p>
初步掌握A/D轉(zhuǎn)換器的使用方法和典型應(yīng)用。
二、實驗內(nèi)容
采用CCl4433A/D轉(zhuǎn)換器(或相類似的A/D轉(zhuǎn)換器),組成量程為2V的簡易的32/1的直流數(shù)字電壓表。
三、實驗報告要求
1.畫出實驗電路圖。
2.寫出設(shè)計部分的設(shè)計計算過程。
3.對實測數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。
使用教材
《電子技術(shù)基礎(chǔ)(數(shù)字部分)》(第三版) 康華光 高等教育出版社